芯片制造商英诺赛科计划赴港IPO 融资规模约3亿美元

英诺赛科创立于2015年12月，旨在打造全球最大的采用全产业链模式，集设计、研发、生产和销售为一体氮化镓（GaN）的生产基地。公司主要设计、开发和制造涵盖从低压到高压（30V-650V）面向各种应用的高性能、高可靠性的氮化镓功率器件，同时也致力于氮化镓技术相关系统和解决方案的开发。英诺赛科已在激光雷达、数据中心、5G通讯、高密度高效快速充电、无线充电、车载充电器、LED 灯照明驱动等方面发布产品方案，并与国内多家应用头部企业开展深度合作，实现量产。

英诺赛科作为技术全球领先的第三代半导体公司，在8英寸硅基氮化镓核心技术和关键工艺领域已实现重大突破，建立了高功率密度、高效率、高增益、低成本的硅基氮化镓量产平台，实现了中国第三代半导体零的突破。

目前，英诺赛科拥有两座8英寸硅基氮化镓生产基地，采用最先进的8英寸生产工艺，是全球产能最高的氮化镓器件厂商。英诺赛科8英寸硅基氮化镓的产能达到每月1.5万片，并将逐渐扩大至每月7万片以上。去年，英诺赛科氮化镓出货量超5亿颗，市场占有率达30%以上，其供货厂商辐射oppo、vivo、联想等智能手机品牌、比亚迪等车企以及新能源领域。

英诺赛科的投资者包括招银国际、韩企SK集团、Arm、宁德时代等。其他投资者可能还包括东方国资、华业天成资本、中平资本、国民创投、钛信资本等。